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85Kr测厚源制备及焊接性能分析

时间:2023-06-18 16:30:03 来源:网友投稿

梁斌斌,彭怡刚,王子默,巴伟伟,高 翔,刘 超

(原子高科股份有限公司,北京 102413)

β射线测厚仪对纸张、塑料薄膜、锂电池极片涂布生产线的产品质量控制起着关键的作用,决定着产品质量的好坏。85Kr源是常见的测厚源之一,随着国内经济不断增长,纸张、塑料薄膜、锂电池极片涂布生产线数量剧增,据估计,每年全国的85Kr源的需求量至少有1 000枚。85Kr测厚源是气体密封源,85Kr核素的半衰期为10.7 a,发射β射线,β射线能量最大为0.672 MeV[1-2],Kr气为无色无味的惰性气体,泄漏后会对环境和人都会造成的一定的辐射影响[3-7]。

85Kr测厚源中源窗与壳体的焊接最重要,为制备外观良好且质量合格的85Kr测厚源,本文对85Kr测厚源结构进行设计,考察多种焊接工艺并对参数进行优化,同时采用氦质谱检漏法、放射性气体泄露检验法及活度检验法对制备的85Kr测厚源检测,评价产品密封性能,采用破坏性金相检验方法,对焊缝进行金相分析和熔深测量,评定其焊接性能,为制备合格的85Kr密封放射源,同时为产品上市销售提供技术参数。

1.1 原材料

85Kr测厚源结构主要包含:壳体、源窗、导管以及85Kr原料气,其中,85Kr源壳体采用304不锈钢材质,源窗采用超薄不锈钢薄膜,厚度20~30 μm,导气管采用无氧铜管。85Kr原料气购自英国的RAIMS 公司。

1.2 焊接检验设备

激光焊机:SFP150,深圳大族激光科技股份有限公司;
真空电子束焊机:ZD-VEBW-150-15-06,河北志成束源科技有限公司;
真空钎焊委托中科院金属所完成。

氦质谱检漏仪:ASM340,普发真空技术有限公司;
NaI γ能谱仪:DigiBASE,美国ORTEC公司;
放射性气体泄露检验:自研设备,系统总体积1.5 L,气流循环速度8~10 L/min;
金相显微镜:Leica DM4M,徕卡(Leica)。

2.1 85Kr测厚源结构设计

85Kr测厚源的结构示意图示于图1,源窗为β射线的输出端,为增加β粒子输出,源窗厚度仅几十微米。85Kr测厚源密封包括铜导气管与壳体的连接、测厚源源窗与壳体的连接、后盖与壳体的连接三道工序。铜导气管与壳体、壳体和后盖均为紧配合状态,以保证焊接密封性。在β射线输出端,源窗和壳体的连接采用侧环焊,为焊接薄窗和壳体,加工了工艺压环,组成合适的工装。压环保证焊接时的良好散热,同时也能保证焊接质量和焊接参数的稳定。为了焊缝美观,在壳体侧需要开工艺槽,以保证焊边厚度约为0.5~1.2 mm。在加工薄窗时,为提高焊接成功率,源窗直径比壳体直径大0.05 mm。为了保护切断后的充气铜管,增加源壳后盖,提高源的密封性等级。源壳后盖形状比较均匀,后盖高度不超过10 mm,直径不超过8 mm。

图1 85Kr测厚源结构示意图Fig.1 The structure of 85Kr thickness gauge source

2.2 85Kr测厚源焊接

2.2.1铜管与壳体的焊接 由于铜管和壳体材质不同,本研究采用真空钎焊技术,焊料为银基钎料。为改善钎焊工艺,提高焊料与源壳的焊接密封性能[8-10],提升源壳的美观性,在真空钎焊前,钛壳表面镀镍。优化钎焊温度850~950 ℃,钎焊时间30~40 min,经过泄露检验,判断工艺是否满足要求。

2.2.2源窗和壳体的焊接 采用夹具将壳体、源窗、压环紧紧夹合,然后采用能量集中的真空电子束来完成。影响电子束焊接的关键参数为电流和焊接速度[11-13],通过电流和焊接速度实验摸索最佳的焊接工艺参数,然后采用优化的焊接工艺参数制备样品,并对焊缝进行金相分析。拟采用电子束焊工艺参数电流范围5~10 mA,转速范围10~15 mm/s。焊接后对源壳进行氦质谱检漏,并以漏率筛选工艺参数。

2.2.3源壳后盖与壳体的焊接 采用激光焊,焊接前用丙酮清洗后盖并烘干。装配前,对壳体焊边和后盖的焊边进行酒精或丙酮擦拭,再用干脱脂棉擦拭一遍。影响激光焊接的关键参数为激光功率和焊接速度,采用激光焊工艺参数初始功率范围160~200 W,速度范围1~2 mm/s,氩气流速10 L/min。

2.3 85Kr测厚源充气

制备85Kr测厚源时,先配置一定比活度的放射性气体,通过铜导气管充入制备好的测厚源壳,充气完毕,切断铜管,再加上壳后盖进行焊接密封[14]。为了源的安全性,充Kr气的压力低于大气压,保证源壳内部负压,避免源壳内气体泄漏。

2.4 85Kr测厚源检验

2.4.185Kr测厚源充气前检验 为保证充气工艺过程中不发生放射性气体泄露,造成人员伤害,环境污染,充气前源壳需进行氦质谱密封性泄漏检验,漏率小于1.0×10-9Pa·m3·s-1才可进行后续充气工艺。同时本研究制备的85Kr测厚源需满足国标GB 4075—2009/C33222对放射源的要求,即温度3级、外压3级、冲击2级、振动2级、穿刺2级[15]。

2.4.285Kr源产品活度检验 对制备后的85Kr源产品进行活度检验,由于85Kr为β源,活度较难直接测得。本研究采用间接测量法,即采用NaI γ能谱仪测量其全能峰面积,参照标准源的全能峰面积,得到其活度。在测量时选择全能峰与其接近的137Cs作为标准源,85Kr源的活度计算如下:

(1)

式中,AKr:待测85Kr源活度,Bq;
ACs:标准137Cs源的活度,Bq;
ξ:校准系数,为198。

2.4.3放射性气体85Kr泄漏检验 按照GB/T 15849—1995对放射源制备的要求,85Kr测厚源制备完毕后,对85Kr源进行泄漏检验,国标要求85Kr测厚源泄露不超过4 kBq/24 h[16]。

85Kr测厚源其他射气检验法示于图2。将85Kr测厚源置于密封的小罐中,保持60 kPa的负压放置24 h,然后补气使小罐至常压,并连接至带有已校准的放射性气体检测仪的循环管路中,开启循环一定时间,充分混合均匀后通过放射性气体检测仪测定放射性气体浓度(单位Bq/L),再乘以管道体积,即可测得密封小罐中85Kr的泄漏量(单位为Bq)。

图2 85Kr测厚源其他射气检验法示意图Fig.2 Diagram of other emission test methods for 85Kr

2.5 金相分析

在85Kr制备过程中,源窗与壳体的焊接较为关键,涉及微米级薄窗与壳体的焊接,焊接性能直接影响放射源的密封性能。

对制备的85Kr测厚源,采用破坏性检验方法,对焊缝进行剖面切割,金相制样,观察焊缝组织形态和焊接熔深。

3.1 真空钎焊

真空钎焊工艺主要用来完成铜管与壳体的焊接,焊接质量依据氦质谱检漏仪进行测试分析。工艺实验参数和氦质谱检漏结果列于表1。由表1数据可知,钎焊温度约900 ℃,钎焊时间约30 min,氦质谱泄露检验漏率最小,因此最佳工艺参数确定为钎焊温度900 ℃,钎焊时间30 min。

表1 真空钎焊工艺实验参数Table 1 Test parameters of vacuum brazing

3.2 电子束焊

电子束焊接工艺主要用于源窗与壳体的焊接,焊接质量依据氦质谱检漏仪进行测试分析。工艺实验参数和氦质谱检漏结果列于表2,以氦质谱检漏漏率小于1.0×10-9Pa·m3·s-1为合格标准,由表2可知,1#、2#、5#、6#、7#、8#均满足漏率要求,并且5#、6#试样漏率比其余试样更低,因此,电子束焊工艺参数确定为电流7 mA、焊接转速13 mm/s。

3.3 激光焊接

激光工艺主要用于源壳后盖与壳体的焊接,采用氦质谱进行焊接质量分析。表3为焊接后盖的焊接参数,由表3数据可知,焊接功率160~170 W时,焊缝外观良好,但是氦质谱检漏显示,漏率较高;
采用较高功率190~200 W时,漏率较低,但是焊缝外观质量较差,氧化严重。因此,最终经过优化,认为焊接功率控制在180~185 W,焊接速度为2 mm/s时,能获得外观质量与漏率均满足要求的源壳。

表2 电子束焊工艺实验参数Table 2 Test parameters of electron beam welding

表3 焊接后盖的焊接实验参数Table 3 Parameters of cap welding

3.4 85Kr测厚源活度检验

对于制备好,经泄露检验合格的85Kr测厚源,采用NaI γ能谱仪进行放射性活度检验,检验时,放射源距NaI γ能谱探头约0.8 m,周围采用铅桶屏蔽,采用3次测量数据,结果取平均值,测量结果列于表4。标准137Cs源活度约0.39 mCi,则根据公式(1)可计算得到KR01-KR05编号的85Kr测厚源活度约300 mCi。

表4 85Kr源和137Cs标准源活度测量Table 4 Results of activity measurement for 85Kr and 137Cs

3.5 放射性气体泄漏检验

制备好的85Kr测厚源,形成产品上市前,需按照国标GB/T 15849—1995的规定,进行放射性气体泄露检验。表5为静止24 h后,85Kr测厚源泄漏检验结果,表5结果表明所制备的KR01-KR05编号的85Kr测厚源,测试结果在130~145 Bq之间,远低于国标规定的4 kBq/24 h,因此,认为制备的放射源密封性非常好。

表5 85Kr测厚源其他射气检验结果Table 5 Results of other emission test for 85Kr

3.6 金相分析

采用本研究选定的焊接工艺,针对漏率最小的焊接试样5#和6#,经过剖面切割,金相制样,其焊缝截面如图3、图4所示,发现无论是0°角截面还是180°角截面,在整体结构的微观形貌、焊缝显微放大像以及焊趾的显微放大像中,都未发现明显的裂纹、未焊透、未熔合等焊接缺陷,同时源窗膜完好,源窗中未存在贯穿性裂纹或者大尺寸气泡。

a——源壳窗口电子束焊缝金相照片;
b——焊缝热影响区金相照片图3 5#样品焊缝金相检验结果Fig.3 Metallographic results of sample 5

a——源壳窗口电子束焊缝金相照片;
b——焊缝热影响区金相照片图4 6#号样品焊缝金相检验结果Fig.4 Metallographic results of sample 6

经过熔深测量,结果列于表6,从表6可以看出,最大焊接熔深约为0.73 mm,较大的焊接熔深能够保证焊缝的力学性能,从而保证85Kr测厚源的密封性能。

表6 样品的的最大焊接熔深Table 6 Welding depth of samples

通过合理的结构设计、优选的焊接工艺参数、检验方法,实现了高质量、高密封性的85Kr测厚源的制备。通过焊接工艺参数优化,得到真空钎焊焊接温度约900 ℃,时间约30 min;
电子束焊焊接电流7 mA,焊接转速13 mm/s;
激光焊接功率180~185 W,焊接速度2 mm/s。通过金相检验分析,在选定的工艺参数条件下,制备的样件焊缝中未发现明显的裂纹、未焊透、未熔合等焊接缺陷,最大焊接熔深约0.73 mm。通过对测厚源进行氦质谱泄漏检验、产品放射性活度检验、产品放射性气体85Kr泄漏检验,采用选定的工艺参数制备的85Kr测厚源满足国家标准GB/T 15849—1995、GB 4075—2009/C33222的相关要求和客户对产品安全、使用寿命的需求。

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